စွမ်းအင်ထောက်ပံ့ရေးနည်းပညာ၏အစဉ်အဆက်ပြောင်းလဲနေသောဘရောင်းတွင် Nitride (Gan) အစိတ်အပိုင်းများသည်ဆန်းသစ်တီထွင်မှု၏မီးပွိုင့်အဖြစ်ရပ်တည်နေသည်။စွမ်းအင်သုံး transistors ကိုသိသာစွမ်းအင်သိသိသာသာတိုးတက်မှုများဖြင့်တော်လှန်ရေးသမားများသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြန့်ဖြူးခြင်းများကိုမအောင်မြင်ပါ။၎င်းသည်သူတို့၏လည်ပတ်မှုအပူချိန်ကိုအေးစေပြီးဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများအတွက် Boon Boon သည် application များအပေါ် flyback ac / dc ပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများ၏ပုံသဏ္ into ာန်ကိုယက်လုပ်ကြသည်။
ဆီလီကွန်အခြေစိုက်သို့မဟုတ် gan-crafted, transistors, က silicon -based သို့မဟုတ် gan-claired, ရင်သည်းထိရောက်မှုမျက်နှာကျက်ရင်ဆိုင်ရ။ဒီကန့်သတ်ချက်ရဲ့ crux?နှစ်ခု pivotal အချက်များ: စီးရီးခုခံ (rds (on)) နှင့်အပြိုင် capacitance (coss) နှင့်အပြိုင်။ဤ parameters များအစဉ်အလာအရလက်ထိပ်ဖြားေတာထောက်ပံ့ရေးစွမ်းဆောင်ရည်။Gan Technology ကိုရိုက်ထည့်ပါ။Gan Transistors များသည် RD များကိုလျှော့ချရုံသာမကသူတို့၏ coss များကိုသူတို့၏ရိုးရာလုပ်ဖော်ကိုင်ဖက်များကိုသိသိသာသာတိုးမြှင့်ထားသည့်အချိုးအစားကိုတိုးမြှင့်နေစဉ်လုပ်ပါ။ဒီထူးခြားတဲ့ရိုဟာဒီ parameters တွေကိုဒီဇိုင်းအတွက်ပိုပြီးသဟဇာတမတူတဲ့ဟန်ချက်ညီမှုကိုလုပ်တယ်။
RD များ (on) နှင့် coss တို့၏အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုသို့ပိုမိုနက်ရှိုင်းစွာတူးဖော်ခြင်းသည် Gan ၏သာလွန်မှုပေါ်ပေါက်လာသည်။RDs (on) သည် switch activation စဉ်အတွင်းခံနိုင်ရည်ရှိနေသည်,မနှိုင်းယှဉ်ပါက CST ၏စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုသည် CV ^ 2/2 ညီမျှခြင်းကိုလိုက်နာသည်။တက်ကြွသည့်အခါ, cots cots ကိုဖြတ်ပြီး RDS (အပေါ်) မှတစ်ဆင့်အပိုဆုံးရှုံးမှုများကိုဖြတ်သန်းသွားသည်။Gan Switch များသည်ဆီလီကွန်ကိုအစားထိုးခြင်း, ဤဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချခြင်း,
ဒါပေမယ့်ပိုပြီးရှိပါတယ်။RDS (on) နှင့် cotts အပေါ် transistor အရွယ်အစား၏သြဇာလွှမ်းမိုးမှုကိုစဉ်းစားပါ။ပိုကြီးတဲ့ transistors (အပေါ်) အနိမ့် rds ကိုဆိုလိုတာပါ။သို့သျောလညျး, ဒီအရွယ်အစားတိုးမြှင့်သည် coss ကိုလှည့်ကွက်ထက်နည်းသည်။ထို့ကြောင့်အကောင်းဆုံးဒီဇိုင်းသည်အနည်းဆုံးအရှုံးပေါ်တွင်ဤအချက်များအကြားနူးညံ့သိမ်မွေ့သော equilibrium ကိုရှာဖွေသည်။Gan Transistors သည် Excelive Power Levels ကိုပိုမိုကြီးမားသောဆီလီကွန်စက်များအဖြစ်ကိုင်တွယ်နိုင်သော်လည်းအရွယ်အစားလျှော့ချခြင်း,
အချုပ်အားဖြင့်အရင့်မှောက်ခြင်း,၎င်းသည်အပူဖြန့်ဝေခြင်းသာမကအရွယ်အစားနှင့်အလေးချိန်များကိုလည်းညှိနိုင်သည်။ထို့အပြင်ဂျန်၏စွမ်းဆောင်ရည်သည်ဒီဇိုင်နာများသည်ရွေ့လျားမှုကြိမ်နှုန်းများကိုမြှင့်တင်ပေးစေပြီးဆုံးရှုံးမှုများမြင့်တက်လာခြင်း,
သိမ်းပိုက်ရန်ထိပ်တန်း application: သူတို့၏≤100W Gan-based flyback adapter သည် optimized အရွယ်အစားနှင့်ကုန်ကျစရိတ်များဖြင့်မြင့်မားသောထိရောက်မှုမြင့်မားသည်။ဤနေရာတွင် Gan သည်မြန်နှုန်းအကန့်အသတ်များကိုပိုမိုထိရောက်သောဖြေရှင်းနည်းများအတွက်ဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချရန်ဒီဇိုင်နာများကိုအသစ်စက်စက်ညှိနှိုင်းရန်ဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်းကိုပြောင်းလဲခြင်း။
ထို့အပြင် Augmenting Powery ထိရောက်မှုရှိသည့်ဂန်၏အာကပ်နိုင်မှုသည်လက်မခံနိုင်ပါ။Point Point: Tops '65W flyback adapters ကို Silicon Mosfets မှ Gan-based innoswitch device များထံမှပြောင်းရွှေ့ခြင်းအားဖြင့် Gan-based innoswitch device များသို့ပြောင်းခြင်းကိုပြသသည်။ဤမြှင့်တင်မှုသည်အပူရာကျသည့်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု, အပူပေးစွမ်းအင်ကိုဖြတ်တောက်ခြင်း, အအေးလိုအပ်ချက်များကိုလျှော့ချခြင်း,
လက်တွေ့ကျသော Gan Transistor Applications များတွင်ထိပ်များကိုသိမ်းထားပါက၎င်း၏နယ်ပယ်ကိုထူးခြားစွာဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်းဖြင့်ထွင်းထုထားသည်။Gan Transistor မောင်းနှင်မှုသည်အထူးသဖြင့်ယာဉ်မောင်းတိုက်နယ်များကို Transistor မှဝေးကွာသွားသောအခါ Electromagnetic interference ကို Dodge Designs မှပြောင်းလဲရန်ကြံစည်မှုကိုတောင်းဆိုသည်။ဤတိုက်ခိုက်ရန် Pi သည် Innoswitch3 စီးရီးကိုမိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ဤပေါင်းစည်းထားသော flyback switch ICS သည် Gan မူလတန်းနှင့်ဒုတိယမြောက်ပြင်ဆင်မှုများအတွက် Controller များတပ်ဆင်ထားပြီး fluxlink technolor တပ်ဆင်ထားပြီးလုံခြုံစိတ်ချရသောတုံ့ပြန်ချက်နှင့် insulator ကိုသေချာစေရန်။
Innoswitch3-PD, မိသားစု၏နောက်ဆုံးဖြည့်စွက်ချက်များသည်မူလတန်းနှင့်အလယ်တန်း Controllers နှင့် Gan Master switches များကိုဝါကြွားသည်။၎င်းသည် USB PD နှင့် PPS interface စွမ်းရည်များကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။အခြား Gan ထုတ်ကုန်များအကြား Pi ၏ Innoswitch3-Pro နှင့် Innoswitch3-MX သည်ကွဲပြားခြားနားသောလိုအပ်ချက်များအတွက်အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်သောဖြေရှင်းနည်းများကိုဆက်လက်ပေးဆက်ထားသည်။