V neustále se vyvíjející oblasti technologie napájení je příchod komponent nitridu gallia (GAN) jako maják rušivých inovací.Gan revolucionizující energetické tranzistory s významným zlepšením účinnosti nejen zmenšuje velikost zdrojů energie;Vychladí také jejich provozní teploty - požehnání pro designérské inženýry tkaní GAN do textilie Flyback AC/DC napájecí zdroje napříč různými aplikacemi.
Tranzistory, ať už na bázi křemíku nebo na bázi GAN, čelí stropům při vlastní účinnosti.Jádro tohoto omezení?Dva klíčové faktory: odolnost řady (RDS (ON)) a paralelní kapacita (COSS).Tyto parametry, tradičně, výkon napájení pout.Zadejte technologii GAN: měnič her.Gan tranzistory nejen pare dolů RDS (zapnuto), ale také to, přičemž to zachovávají poměr jejich coss podstatně pod jejich tradičními protějšky.Tato jedinečná vlastnost vytváří harmoničtější rovnováhu mezi těmito parametry v designu.
Ganova nadřazenost se koná hlouběji do souhry RDS (ON) a Cossa.RDS (ON) znamená odpor během aktivace spínače, což přímo ovlivňuje ztrátu vedení.Naproti tomu Cossova ztráta energie sleduje rovnici CV^2/2.Když je COSS aktivní, vypouští RDS (zapnuto) a třením další ztráty.Přepíná GAN, nahrazují křemík, snižují tyto ztráty, pohánějí účinnost energie, zahrnují operace s vyšší frekvencí a zmenšují se transformátory.
Ale je toho víc.Zvažte vliv velikosti tranzistoru na RDS (ON) a COSS.Větší tranzistory znamenají nižší RDS (zapnuto) - pozitivní.Tato velikost však nafoukne COSS, méně než ideální zvrat.Optimální design proto hledá delikátní rovnováhu mezi těmito faktory při minimální ztrátě.GAN Transistors zde vynikají a manipulují s ekvivalentními úrovněmi výkonu jako větší silikonová zařízení, přesto ve snížené velikosti, se svolením jejich drasticky nižších specifických RD (ON).
Abych to shrnul, Gan Melds nižší RDS (ON) s COSS, aby vytvořil efektivnější zdroje energie.To nejen zmírňuje rozptyl tepla, ale také ořízne velikost a hmotnost.Efektivita GAN navíc umožňuje návrhářům posilovat přepínací frekvence, které, i když eskalují ztráty, zůstávají výrazně pod křemíkovými mosfety.
Vezměte si aplikaci GAN Keep Tops: Jejich adaptér Flyback na bázi ≤ 100 W, který posouvá vysokou účinnost s optimalizovanou velikostí a náklady.Zde GAN přesahuje limity rychlosti přepínání a uděluje návrhářům nově objevené volnosti ve frekvenčním ladění, aby se minimalizovalo ztráty pro efektivnější řešení.
Kromě toho je účinnost GAN při zvyšování energetické účinnosti nepřípustná.Příklad: Uchovávejte Tops '65W adaptér Flyback, přechod z Silicon MOSFETS na innoswitch zařízení na bázi GAN, představil zhruba 3% účinnost skoku napříč všemi zatíženími.Tato podpora je monumentální, snižující spotřebu energie, řezání tepla, snižování potřeb chlazení a zhutnění napájení - to vše při prodloužení jeho životnosti.
V praktických aplikacích GAN Transistor, Keep Tops vyřezal svou výklenek jedinečným designovým étosem.GAN Transistor Driving představuje výzvy, zejména když je obvod řidiče distancován od tranzistoru a vyžaduje složité návrhy, aby se vyhýbaly elektromagnetickému rušení.Pro boj proti tomu představil Pi sérii Innoswitch3.Tyto integrované IC pro přepínání Flybacku přicházejí s vestavěnými řadiči pro primární a sekundární usměrňovače GAN a jsou vybaveny technologií Fluxlink, což zajišťuje bezpečný přenos a izolaci zpětné vazby.
Innoswitch3-PD, nejnovější přírůstek rodiny, se může pochlubit primárními a sekundárními ovladači a hlavními přepínači GAN.Poskytuje úplné možnosti rozhraní USB PD a PPS.PI's Innoswitch3-Pro a Innoswitch3-MX, mimo jiné produkty GAN, nadále nabízejí řešení na míru pro různé potřeby.