電源技術の進化し続ける領域では、窒化ガリウム（GAN）コンポーネントの出現は、破壊的な革新のビーコンとして存在します。大幅な効率改善を伴う電力トランジスタに革命をもたらすと、Ganは電源の規模を縮小するだけではありません。それは彼らの動作温度も冷却します - デザインエンジニアがGANをフライバックAC/DC電源のファブリックに織り込むための恩恵は、多様なアプリケーション全体であります。
トランジスタは、シリコンベースであろうとGANで作られているかどうかにかかわらず、固有の効率の天井に直面しています。この制限の核心？2つの重要な要因：シリーズ抵抗（RDS（オン））と並列容量（COSS）。これらのパラメーター、従来、手錠の電源性能。Gan Technology：A Game-Changerを入力します。GANトランジスタは、RDS（オン）を削減するだけでなく、コスの増加率を従来のカウンターパートよりも大幅に下回っている間にします。このユニークな特性は、デザインのこれらのパラメーター間のより調和のとれたバランスを忘れています。
RDS（ON）とCOSSの相互作用をより深く掘り下げて、Ganの優位性が現れます。RDS（オン）は、スイッチの活性化中の耐性を意味し、伝導喪失に直接影響します。対照的に、Cossの電力損失はCV^2/2方程式に従います。アクティブな場合、コスはRDS（オン）を介して放電し、追加の損失を生み出します。Ganスイッチは、シリコンの交換、これらの損失を削減し、電力効率を推進し、より高い周波数操作を受け入れ、変圧器を縮小します。
しかし、もっとあります。RDS（ON）およびCOSSに対するトランジスタサイズの影響を考慮してください。トランジスタが大きいと、RDSが低い（オン）、陽性です。しかし、このサイズは、理想的なひねりではないコスを膨らませます。したがって、最適な設計は、最小限の損失でこれらの要因の間に微妙な平衡を求めています。Ganトランジスタはここで優れており、同等のパワーレベルをより大きなシリコンデバイスとして処理しますが、サイズが縮小されているため、劇的に低い特定のRDS（オン）のおかげです。
要約すると、ガンはより効率的な電源を築くために、より低いRDS（オン）をCOSSで溶かします。これにより、熱散逸を緩和するだけでなく、サイズと重量もトリミングします。さらに、Ganの効率により、設計者はスイッチング周波数を高めることができます。
Take Keep TopsのGANアプリケーション：≤100WGANベースのフライバックアダプターは、最適化されたサイズとコストで高効率を融合します。ここで、Ganはスイッチング速度制限を超越し、設計者に周波数チューニングで新たな余裕を与えて、より効率的なソリューションの損失を最小限に抑えます。
さらに、電力効率を高める上でのGANの効力は忘れられません。適切なケース：シリコンモスフェットからGANベースのInnoswitchデバイスに切り替えて、Tops '65Wフライバックアダプターを維持し、すべての負荷で約3％の効率の跳躍を紹介しました。このブーストは、エネルギーの使用を削減し、熱を削減し、冷却のニーズを縮小し、電源を圧縮する記念碑的なものです。
実際のGANトランジスタアプリケーションでは、KEEP TOPSはユニークなデザインの精神でニッチを彫りました。GANトランジスタの運転は、特にドライバー回路がトランジスタから距離を置いている場合に課題をもたらし、電磁干渉をかわすために複雑な設計を要求します。これと戦うために、PiはInnoswitch3シリーズを導入しました。これらの統合フライバックスイッチICには、GANプライマリおよびセカンダリ整流器用の組み込みコントローラーが搭載されており、Fluxlinkテクノロジーが装備されており、安全なフィードバック伝送と断熱材が確保されています。
家族の最新の追加であるInnoswitch3-PDは、プライマリおよびセカンダリコントローラーとGanマスタースイッチを誇っています。完全なUSB PDおよびPPSインターフェイス機能を提供します。PiのInnoswitch3-ProおよびInnoswitch3-Mxは、他のGan製品の中でも、さまざまなニーズに合わせて調整されたソリューションを提供し続けています。