No campo do design de circuitos eletrônicos, a série de masterização e os cálculos paralelos para capacitores não é apenas fundamental - é crucial.Esses métodos de conexão afetam a funcionalidade geral do circuito, intimamente ligados à resistência à tensão e à capacidade de tensão do capacitor.Primeiro, aprofundando as conexões da série, a fórmula de cálculo \ (c = \ frac {c1 \ times c2} {c1 + c2} \) é pivotal.Isso revela uma verdade contra-intuitiva: os capacitores conectados à série realmente diminuem a capacidade geral.Essa diminuição se deve à conexão em série que estende efetivamente a distância de isolamento, com a capacitância inversamente relacionada a essa distância.Esse conhecimento se mostra vital no design da fonte de alimentação.Por exemplo, conectar dois 50 capacitores de microfarad em série resulta em uma capacidade reduzida de 25 microfarads.
Por outro lado, a fórmula para capacitância paralela, \ (c = c1 + c2 \) significa um aumento na capacidade total - a soma das capacidades individuais.Isso acontece porque as conexões paralelas expandem a área da placa do capacitor.Dado que a capacitância se correlaciona diretamente com a área, a capacidade aumenta assim.No entanto, o "princípio do barril" governa a tensão de resistência em conexões paralelas;A classificação de tensão mais baixa entre os capacitores determina a classificação geral.Dois 50 capacitores de microfarad em paralelo, portanto, produzem uma capacidade total de 100 microfarad.
Curiosamente, os princípios para capacitores e resistores são imagens espelhadas.As conexões em série para capacitores equivalem a conexões paralelas para resistores e vice -versa.Essa dualidade é essencial para entender a interação desses componentes em um circuito.Além disso, projetos complexos podem exigir uma abordagem híbrida - mistura de séries e conexões paralelas.Nesses casos, um calcula a capacidade e a tensão da seção paralela primeiro e depois considera a parte da série.Essa estratégia de conexão mista permite designs mais versáteis, adaptados a necessidades específicas de desempenho do circuito.